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（d）计算了应变相关的离子迁移活化能和CsPbI2Br中卤化物空位形成能，促进产业策措其中x轴上的负值和正值分别代表压缩应变和拉伸应变。下图：干政在由掺氟氧化锡涂层玻璃/介孔TiO2/(FAPbI3)1-x(MC)x（上图）和陷阱密度NT、TSC（下图）组成的样品中计算的微应变。

图四、优先源制卤化物钙钛矿光电材料中的应变工程（a）退火相关改性。

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